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国产SiC新突破!厚度达100 mm

国产SiC新突破!厚度达100 mm

近日,据浙大杭州科创中心官微消息,乾晶半导体联合实验室(简称联合实验室)经过近两年的努力,生长出厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶。碳化硅单晶的厚度一般约为...
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